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DS1270W-100IND	文件：194.41 Kbytes Page：8 Pages	3.3V 16Mb Nonvolatile SRAM	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DS1270W-100IND	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1270W-100IND#	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1270W-100	文件：194.41 Kbytes Page：8 Pages	3.3V16MbNonvolatileSRAM	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas

产品属性

产品编号：
DS1270W-100IND
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
16Mb（2M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
100ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）
供应商器件封装：
36-EDIP
描述：
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市瀚珑科技有限公司	DS1270W-100IND	ADI/亚德诺	24+	SMD	10250	只做原装现货13691986278微信	询价
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更多DS1270W-100IND供应商更新时间2024-5-3 8:24:00

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