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DS1265W-100IND+	文件：192.54 Kbytes Page：8 Pages	3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
DS1265W-100IND+	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1265W-100	文件：155.91 Kbytes Page：8 Pages	3.3V8MbNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS1265W8Mbnonvolatile(NV)SRAMsare8,388,608-bit,fullystatic,NVSRAMsorganizedas1,048,576wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondition	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
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产品属性

产品编号：
DS1265W-100IND+
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
8Mb（1M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
100ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）
供应商器件封装：
36-EDIP
描述：
IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

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