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DS1230W-100IND+中文资料PDF规格书

DS1230W-100IND+
厂商型号

DS1230W-100IND+

参数属性

DS1230W-100IND+ 封装/外壳为28-DIP 模块(0.600",15.24mm);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

功能描述

3.3V 256k Nonvolatile SRAM

文件大小

202.92 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 MaximIntegrated
企业简称

Maxim美信半导体

中文名称

美信半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-17 19:20:00

产品属性

  • 产品编号:

    DS1230W-100IND+

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    NVSRAM

  • 技术:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量:

    256Kb(32K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    100ns

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    28-DIP 模块(0.600",15.24mm)

  • 供应商器件封装:

    28-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
23+
DIP
18000
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MAXIM(美信)
23+
DIP28
6000
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DIP
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23+
MOD
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Analog Devices Inc./Maxim Inte
21+
28-DIP 模块(0.600,15.24mm)
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