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DS1220AB-100+	文件：201.36 Kbytes Page：8 Pages	16k Nonvolatile SRAM	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
DS1220AB-100+	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：24-DIP 模块（0.600"，15.24mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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DS1220AB-100IND	文件：201.36 Kbytes Page：8 Pages	16kNonvolatileSRAM	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
DS1220AB-100-IND	文件：258.54 Kbytes Page：7 Pages	16KNonvolatileSRAM	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
DS1220AB-100-IND	文件：144.55 Kbytes Page：8 Pages	16kNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS1220Y16kNonvolatileSRAMisa16,384-bit,fullystatic,nonvolatileRAMorganizedas2048 wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythat constantlymonitorVCCforanout-of-tolerancecondition. FEATURES 10ye	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DS1220AB-100-IND	文件：136.85 Kbytes Page：9 Pages	16kNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS1220ABandDS1220AD16kNonvolatileSRAMsare16,384-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas2048wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensucha	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
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产品属性

产品编号：
DS1220AB-100+
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
16Kb（2K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
100ns
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
24-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
24-EDIP
描述：
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

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