选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
|
EBDBGA |
98900 |
23+ |
原厂原装正品现货!! |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
TI/德州仪器BGA |
103 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
PANASONIC/松下SMini3F2B |
7906200 |
|||||
|
深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
|
PANASONICSOT-323 |
7877 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
|
深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
|
PANASONIC/松下SC-85 |
6900 |
2138+ |
||||
|
深圳市华来深电子有限公司11年
留言
|
9438 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
||||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
PANASONIC/松下SMini3-F2-B |
34300 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
|||
|
深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
|
PANASONIC/松下SC-85 |
25000 |
23+ |
全新原装现货,假一赔十 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
42387 |
23+ |
免费送样,账期支持,原厂直供,没有中间商赚差价 |
||||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
PANASON5632 |
2015 |
ROHS |
只做进口原装正品!现货或者订货一周货期!只要要网上 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
|
PANASONIC/松下SOT-323 |
9852 |
1942+ |
只做原装正品现货或订货!假一赔十! |
|||
|
深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
留言
|
PANASONIC/松下SOT323 |
9000 |
22+ |
原装正品 |
|||
|
深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
|
PANASONIC/松下SOT-323 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
PanasonicSMini3-F2-B |
36800 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
|
深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
|
PANASONIC/松下SOT-523 |
10000 |
22+ |
绝对原装现货热卖 |
|||
|
贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
|
PANASONSOT |
10000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
|
深圳市纳立科技有限公司3年
留言
|
TI |
1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
|||
|
深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
|
PANASONIC/松下SOT-323 |
6000 |
23+ |
原厂原包原装现货 假一赔百 |
|||
|
深圳市辰德隆电子科技有限公司9年
留言
|
PANASONIC/松下SOT323 |
6000 |
23+ |
只有原装正品,老板发话合适就出 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
PANASONIC/松下SOT-323 |
198589 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
DRA5采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
DRA5图片
DRA5114E0L价格
DRA5114E0L价格:¥0.3233品牌:Panasonic
生产厂家品牌为Panasonic的DRA5114E0L多少钱,想知道DRA5114E0L价格是多少?参考价:¥0.3233。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,DRA5114E0L批发价格及采购报价,DRA5114E0L销售排行榜及行情走势,DRA5114E0L报价。
DRA5144E0L中文资料Alldatasheet PDF
更多DRA5113Z0L功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DRA5114E0L功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DRA5114T0L功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DRA5114Y0L功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DRA5115E0L功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DRA5115G0L功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DRA5115T0L功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DRA5123E0L功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DRA5123J0L功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DRA5123Y0L功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel