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DMP2130LDM-7	文件：169.08 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowRDS(ON): •80mΩ@VGS=-4.5V •110mΩ@VGS=-2.7V •130mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

零件编号

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功能描述

制造商&上传企业

LOGO

DMP2130LDM-7

文件：169.08 Kbytes

Page：4 Pages

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features •LowRDS(ON): •80mΩ@VGS=-4.5V •110mΩ@VGS=-2.7V •130mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Note4)

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES

详细参数

型号：
DMP2130LDM-7
功能描述：
MOSFET P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMP2130LDM-7供应商更新时间2024-5-31 15:24:00

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