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DMN2055U	文件：525.28 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMN2055UQ	文件：455.55 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDIODES™DMN2055UQissuitableforautomotiveapplicationsrequiringspec	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMN2055UQ-13	文件：455.55 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDIODES™DMN2055UQissuitableforautomotiveapplicationsrequiringspec	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMN2055UQ-7	文件：455.55 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDIODES™DMN2055UQissuitableforautomotiveapplicationsrequiringspec	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMN2055UW	文件：526.01 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol (i.e.partsqualifiedtoAEC-Q100/101/200	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMN2055UW-13	文件：526.01 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol (i.e.partsqualifiedtoAEC-Q100/101/200	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMN2055UW-7	文件：526.01 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol (i.e.partsqualifiedtoAEC-Q100/101/200	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMN2055UWQ	文件：525.49 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDMN2055UWQissuitableforautomotiveapplications requiringspecificchangecontrol;thispartis	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMN2055UWQ-13	文件：525.49 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDMN2055UWQissuitableforautomotiveapplications requiringspecificchangecontrol;thispartis	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMN2055UWQ-7	文件：525.49 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDMN2055UWQissuitableforautomotiveapplications requiringspecificchangecontrol;thispartis	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMN2055U-13	文件：525.28 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMN2055U-7	文件：525.28 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
2055	文件：15.33 Kbytes Page：1 Pages	HighpassFilter	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.	KR
2055	文件：105.3 Kbytes Page：1 Pages	UniversalBushings	HeycoHeyco. 海科海科(Heyco)	Heyco
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APM2055N	文件：149.5 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/12A,RDS(ON)=55mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=75mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •HighPowerandCurrentHandlingCapability •TO-252andSOT-223Packages Applications •SwitchingR	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2055NU	文件：187.09 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ·20V/10A,RDS(ON)=55mW(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=75mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=140mW(typ.)@VGS=2.5V ·SuperHighDenseCellDesign ·ReliableandRugged ·LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ·PowerManagementin	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2055NU	文件：965.81 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
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更多DMN2055U供应商更新时间2024-6-18 9:02:00

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