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IRFRU3910	文件：141.83 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds=0.115ohm,Id=16A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU3910	文件：141.83 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds=0.115ohm,Id=16A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU3910	文件：3.73438 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU3910	文件：247.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU3910PBF	文件：1.01321 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFU3910PBF	文件：4.00169 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU3910PBF	文件：397.99 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU3910PBF	文件：393.26 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
JCS3910	文件：1.36641 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
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JCS3910R-O-R-N-B	文件：1.36641 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JCS3910V-O-V-N-B	文件：1.36641 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
KSMU3910	文件：645.08 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LEO3910	文件：2.46408 Mbytes Page：21 Pages	Rad-hardplastic2Apositivelowdropvoltageregulator Features •Operatinginputvoltagefrom3Vto12V •Adjustableoutputvoltagefrom1.23Vto9V •Low-dropoutvoltage:0.35V@IO=400mA •Overtemperatureprotection •Overcurrentprotection •Adjustablecurrentlimitation •Inhibit(ON/OFF)TTL-compatiblecontrol •Goldbonding •N	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
LEO3910PDT	文件：2.46408 Mbytes Page：21 Pages	Rad-hardplastic2Apositivelowdropvoltageregulator Features •Operatinginputvoltagefrom3Vto12V •Adjustableoutputvoltagefrom1.23Vto9V •Low-dropoutvoltage:0.35V@IO=400mA •Overtemperatureprotection •Overcurrentprotection •Adjustablecurrentlimitation •Inhibit(ON/OFF)TTL-compatiblecontrol •Goldbonding •N	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
LEO3910PDT-D	文件：2.46408 Mbytes Page：21 Pages	Rad-hardplastic2Apositivelowdropvoltageregulator Features •Operatinginputvoltagefrom3Vto12V •Adjustableoutputvoltagefrom1.23Vto9V •Low-dropoutvoltage:0.35V@IO=400mA •Overtemperatureprotection •Overcurrentprotection •Adjustablecurrentlimitation •Inhibit(ON/OFF)TTL-compatiblecontrol •Goldbonding •N	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
LP3910	文件：2.9629 Mbytes Page：72 Pages	PowerManagementICforHard-Drive-BasedPortableMediaPlayers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
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LP3910SQ-AN	文件：7.98152 Mbytes Page：60 Pages	PowerManagementICforHardDriveBasedPortableMediaPlayers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DM3910P供应商更新时间2024-5-29 15:43:00

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