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5818-F	文件：166.1 Kbytes Page：8 Pages	BiMOSII32-BITSERIAL-INPUT,LATCHEDSOURCEDRIVERSFOR-40CTO85COPERATION BiMOSII32-BITSERIAL-INPUT,LATCHEDSOURCEDRIVERSFOR-40°CTO+85°COPERATION Designedprimarilyforusewithvacuum-fluorescentdisplays,theUCQ5818AFandUCQ5818EPFsmartpowerBiMOSIIdriverscombineCMOSshiftregisters,datalatches,andcontrolcircuitry,withbipolarhighspeedsourci	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
5818-F	文件：164.87 Kbytes Page：8 Pages	BiMOSII32-BITSERIAL-INPUT,LATCHEDSOURCEDRIVERSWITHACTIVE-DMOSPULL-DOWNS Designedprimarilyforusewithvacuum-fluorescentdisplays,theUCN5818AFandUCN5818EPFsmartpowerBiMOSIIdriverscombineCMOSshiftregisters,datalatches,andcontrolcircuitry,withbipolarhighspeedsourcingoutputsandDMOSactivepull-downcircuitry.Thehighspeedshiftregisterandda	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
5818SM	文件：116.17 Kbytes Page：3 Pages	1AmpSchottkyRectifier 1AmpSchottkyRectifier •SchottkyBarrierRectifier •GuardRingProtection •LowForwardVoltage •HighReliability •HighCurrentCapability	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
5818SMG	文件：119.4 Kbytes Page：3 Pages	1AmpSchottkyRectifier 1AmpSchottkyRectifier •SchottkyBarrierRectifier •GuardRingProtection •LowForwardVoltage •HighReliability •HighCurrentCapability •SurfaceMountPackage	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
5818SMJ	文件：120.34 Kbytes Page：3 Pages	1AmpSchottkyRectifier 1AmpSchottkyRectifier •UnderwritersLaboratoryFlammabilityClass94V-0 •SchottkyBarrierRectifier •Guardringprotection •Lowforwardvoltage •Lowthermalresistancerating	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
AFE5818	文件：3.01341 Mbytes Page：156 Pages	16-Channel,Ultrasound,AnalogFront-End	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
AFE5818ZBV	文件：871.77 Kbytes Page：12 Pages	80-MSPSADC,PassiveCWMixer,I/QDemodulator	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
AFE5818ZBV	文件：3.01341 Mbytes Page：156 Pages	16-Channel,Ultrasound,AnalogFront-End	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
B5818LWS	文件：254.14 Kbytes Page：2 Pages	1AmpLowVFSchottkyBarrierRectifier30Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
B5818PL	文件：988.22 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiodes	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
B5818PL	文件：1.49382 Mbytes Page：4 Pages	SOD-123FLPlastic-EncapsulateDiodes Features 1A VRRM Highsurgecurrentcapability Polarity:Colorbanddenotescathode IF(AV) 20-40V Applications Rectifier	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
B5818W	文件：378.03 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS ReverseVoltage-20to40V ForwardCurrent-1A FEATURES ♦Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ♦Guardingforovervoltageprotection ♦Lowpowerloss,highefficiency ♦Highcurrentcapability ♦lowforwardvoltagedrop ♦Highsurgecapability ♦Foruseinlowvoltage,	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
B5818W	文件：443.58 Kbytes Page：4 Pages	SOD-123Plastic-EncapsulateSchottkyBarrierDiode Features HighCurrentCapability LowForwardVoltageDrop P/NsuffixVmeansAEC-Q101qualified,e.g:B5817WV P/NsuffixVmeansHalogen-free	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
B5818W	文件：566.5 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYDIODESSCHOTTKYBARRIERDIODE DESCRIPTION The B5817W~B5819WareavailableinSOD123 package FEATURES Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters Freewheeling,andpolarityprotection applications AvailableinSOD123package MECHANICALDATA Case: Moldedplasticbody Terminals: Platedleadsso	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
B5818W	文件：687.3 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes SCHOTTKYBARRIERDIODES FEATURES Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters Freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
B5818W	文件：6.97137 Mbytes Page：6 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGE20THRU200VoltsCURRENT1.0Ampers FEATURES ●HighCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop MECHANICALDATA ●SOD-123SmallOutlinePlasticPackage ●Polarity:Colorbanddenotescathodeend ●EpoxyUL:94V-0 ●MountingPosition:Any	NIUHANG Dongguan City Niuhang Electronics Co.LTD	NIUHANG
B5818W	文件：459.94 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes SCHOTTKYDIODES Features: Lowforwardvoltage; Applications: Low-voltage,high-frequencyandotherprotectioncircuits.	SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 赛尔斯深圳市赛尔斯科技有限公司	SHENZHENSLS
B5818W	文件：139.8 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODE FEATURES ♦Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters ♦Freewheeling,andpolantyprotectionapplications MECHANICALDATA Case:Moldedplasticbody Terminals:PlatedleadssolderableperMIL-STD-750,Method2026 Polarity:Polaritysymbolsmarkedoncase Marking:B5817W:SJ	YIXINShenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd. 壹芯微深圳市壹芯微科技有限公司	YIXIN
B5818W	文件：465.61 Kbytes Page：2 Pages	SOD-123Plastic-EncapsulateDiodes SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters Freewheeling,andpolarityprotectionapplications. MaximumRatingsandElectricalCharacteristics,SingleDiode@Ta=25℃	BAIDUMICROBaiDu Micro electrons Co., Ltd 百度微深圳市百度微电子有限公司	BAIDUMICRO
B5818W	文件：2.21006 Mbytes Page：4 Pages	SOD123Plastic-EncapsulateDiodes Features ●VR30V ●IFAV1A Applications ●LowVoltageRectification ●LowPowerConsumptionApplications ●HighEfficiencyDC/DCConversion Marking ●SK	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI

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详细参数

型号：
DL5818T
制造商：
Micro Commercial Components(MCC)

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