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AD636KH	文件：157.72 Kbytes Page：8 Pages	LowLevel,TrueRMS-to-DCConverter GENERALDESCRIPTION TheAD636isalowpowermonolithicICthatperformstruerms-to-dcconversiononlowlevelsignals.Itoffersperformancethatiscomparableorsuperiortothatofhybridandmodularconverterscostingmuchmore.TheAD636isspecifiedforasignalrangeof0mVto200mVrms	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD636KHZ	文件：444.66 Kbytes Page：16 Pages	LowLevel,TrueRMS-to-DCConverter	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG636	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakage	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG636	文件：147.68 Kbytes Page：12 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakageCMOS5V/5V/3VDualSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG636YRU	文件：147.68 Kbytes Page：12 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakageCMOS5V/5V/3VDualSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG636YRU	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakage,CMOS,짹5V/5V/3VDualSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG636YRU-REEL	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakage,CMOS,짹5V/5V/3VDualSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AL-HG636A	文件：338.41 Kbytes Page：5 Pages	GreenSMDChipLEDLamps(0.6mmHeight)	A-BRIGHTA-BRIGHT Inc 光旗实业光旗实业股份有限公司	A-BRIGHT
AL-HG636D	文件：339.61 Kbytes Page：5 Pages	GreenSMDChipLEDLamps(0.8mmHeight)	A-BRIGHTA-BRIGHT Inc 光旗实业光旗实业股份有限公司	A-BRIGHT
AT636	文件：44.07 Kbytes Page：4 Pages	PHASECONTROLTHYRISTOR PHASECONTROLTHYRISTOR Repetitivevoltageupto1800V Meanon-statecurrent1965A Surgecurrent36kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
ATS636LSE	文件：814.15 Kbytes Page：15 Pages	ProgrammableBackBiasedHall-EffectSwitchwithTPOSFunctionality FEATURES ChopperStabilization Extremelylowswitch-pointdriftovertemperature On-chipProtection Supplytransientprotection Outputshort-circuitprotection Reverse-batteryprotection TrueZero-SpeedOperation TruePower-OnState Single-chipSensingICforHighReliability O	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
ATS636LSETN-T	文件：814.15 Kbytes Page：15 Pages	ProgrammableBackBiasedHall-EffectSwitchwithTPOSFunctionality FEATURES ChopperStabilization Extremelylowswitch-pointdriftovertemperature On-chipProtection Supplytransientprotection Outputshort-circuitprotection Reverse-batteryprotection TrueZero-SpeedOperation TruePower-OnState Single-chipSensingICforHighReliability O	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
ATS636LSETN-T	文件：348.67 Kbytes Page：15 Pages	TheATS636LSEprogrammable,truepower-onstate(TPOS),deviceisoptimizedHall-effectICandrare-earthpelletcombinationsthatswitchinresponsetomagneticsignals...	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
BC636	文件：1.9422 Mbytes Page：14 Pages	GERMANIOVETRANZISTORY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC636	文件：56.7 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC636	文件：116.45 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentTransistors HighCurrentTransistorsPNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BC636	文件：86.61 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentTransistors(PNPSilicon) HighCurrentTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC636	文件：43.92 Kbytes Page：8 Pages	PNPmediumpowertransistors DESCRIPTION PNPmediumpowertransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.NPcomplements:BC635,BC637andBC639. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Audioandvideoamplifiers.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC636	文件：126.87 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAFTransistors(HighcurrentgainHighcollectorcurrent) PNPSiliconAFTransistors ●Highcurrentgain ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC635,BC637,BC639(NPN)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BC636	文件：184.61 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS

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详细参数

型号：
DG636EQ
功能描述：
模拟开关 IC Dual SPDT Switches
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
开关数量：
2
开关配置：
SPDT
开启电阻（最大值）：
0.1 Ohms
工作电源电压：
2.7 V to 4.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DSBGA-16

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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