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DG613E	文件：441.38 Kbytes Page：18 Pages	1.4 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches FEATURES •3Vto16Vsinglesupplyor±3Vto±8Vdual supply •Lowchargeinjection(1.4pCtyp.) •Leakagecurrent	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG613E	文件：410.58 Kbytes Page：18 Pages	1.4 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG613EEN-T1-GE4	文件：441.38 Kbytes Page：18 Pages	1.4 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches FEATURES •3Vto16Vsinglesupplyor±3Vto±8Vdual supply •Lowchargeinjection(1.4pCtyp.) •Leakagecurrent	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG613EEQ-T1-GE4	文件：441.38 Kbytes Page：18 Pages	1.4 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches FEATURES •3Vto16Vsinglesupplyor±3Vto±8Vdual supply •Lowchargeinjection(1.4pCtyp.) •Leakagecurrent	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG613EEY-T1-GE4	文件：441.38 Kbytes Page：18 Pages	1.4 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches FEATURES •3Vto16Vsinglesupplyor±3Vto±8Vdual supply •Lowchargeinjection(1.4pCtyp.) •Leakagecurrent	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG613EEN-T1-GE4	文件：410.58 Kbytes Page：18 Pages	1.4 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG613EEQ-T1-GE4	文件：410.58 Kbytes Page：18 Pages	1.4 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG613EEY-T1-GE4	文件：410.58 Kbytes Page：18 Pages	1.4 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
613	文件：146.02 Kbytes Page：2 Pages	LowProfile	OSCILENT Oscilent Corporation	OSCILENT
A613ERU	文件：193.6 Kbytes Page：2 Pages	Single&DualOutput,6WUltra-WideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
ADG613	文件：152.56 Kbytes Page：12 Pages	1pCChanrgeInjection,100pALeakage,CMOS-5V/5V/3VQuadSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG611/ADG612/ADG613aremonolithicCMOSdevicescontainingfourindependentlyselectableswitches.Theseswitchesofferultralowchargeinjectionof1pCoverthefullinputsignalrangeandtypicalleakagecurrentsof10pAat25°C. Thedevicesarefullyspecifiedfor±	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG613YRU	文件：152.56 Kbytes Page：12 Pages	1pCChanrgeInjection,100pALeakage,CMOS-5V/5V/3VQuadSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG611/ADG612/ADG613aremonolithicCMOSdevicescontainingfourindependentlyselectableswitches.Theseswitchesofferultralowchargeinjectionof1pCoverthefullinputsignalrangeandtypicalleakagecurrentsof10pAat25°C. Thedevicesarefullyspecifiedfor±	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADXRS613	文件：421.26 Kbytes Page：12 Pages	짹150째/secYawRateGyroscope	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADXRS613BBGZ	文件：421.26 Kbytes Page：12 Pages	짹150째/secYawRateGyroscope	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADXRS613BBGZ-RL	文件：421.26 Kbytes Page：12 Pages	짹150째/secYawRateGyroscope	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ATP613	文件：385.66 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATP613	文件：493.5 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATP613	文件：386.6 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ATP613-TL-H	文件：386.6 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD613	文件：127.4 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONEPIBASETRANSISTORS	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
瀚佳科技(深圳)有限公司	DG613EEY-T1-GE4	Vishay Siliconix	21+	16-SOIC	56300	一级代理/放心采购	询价
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深圳市大联智电子有限公司	DG613EEY-T1-GE4	Vishay Siliconix	2022+	16-SOIC	7300	原装现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	DG613EEN-T1-GE4	VISHAYSEMICONDUCTORS	22+	QFN-16	3000	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
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更多DG613E供应商更新时间2024-5-22 9:02:00

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