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DG613AEQ-T1-E3	文件：194.23 Kbytes Page：11 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches DESCRIPTION TheDG611/612/613featurehigh-speedlow-capacitancelateralDMOSswitches.Chargeinjectionhasbeenminimizedtooptimizeperformanceinfastsample-and-holdapplications. FEATURES ●FastSwitching—tON:12ns ●LowChargeInjection:2pC ●WideBandwidth:500MHz ●5-VCMOSL	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG613AEQ-T1-E3	文件：327.35 Kbytes Page：17 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches FEATURES •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 Definition •Lowchargeinjection(1pCtyp.) •Leakagecurrent	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG613AEQ-T1-E3	文件：240.42 Kbytes Page：15 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
613	文件：146.02 Kbytes Page：2 Pages	LowProfile	OSCILENT Oscilent Corporation	OSCILENT
A613ERU	文件：193.6 Kbytes Page：2 Pages	Single&DualOutput,6WUltra-WideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
ADG613	文件：152.56 Kbytes Page：12 Pages	1pCChanrgeInjection,100pALeakage,CMOS-5V/5V/3VQuadSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG611/ADG612/ADG613aremonolithicCMOSdevicescontainingfourindependentlyselectableswitches.Theseswitchesofferultralowchargeinjectionof1pCoverthefullinputsignalrangeandtypicalleakagecurrentsof10pAat25°C. Thedevicesarefullyspecifiedfor±	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG613YRU	文件：152.56 Kbytes Page：12 Pages	1pCChanrgeInjection,100pALeakage,CMOS-5V/5V/3VQuadSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG611/ADG612/ADG613aremonolithicCMOSdevicescontainingfourindependentlyselectableswitches.Theseswitchesofferultralowchargeinjectionof1pCoverthefullinputsignalrangeandtypicalleakagecurrentsof10pAat25°C. Thedevicesarefullyspecifiedfor±	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADXRS613	文件：421.26 Kbytes Page：12 Pages	짹150째/secYawRateGyroscope	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADXRS613BBGZ	文件：421.26 Kbytes Page：12 Pages	짹150째/secYawRateGyroscope	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADXRS613BBGZ-RL	文件：421.26 Kbytes Page：12 Pages	짹150째/secYawRateGyroscope	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ATP613	文件：385.66 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATP613	文件：493.5 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATP613	文件：386.6 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ATP613-TL-H	文件：386.6 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD613	文件：127.4 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONEPIBASETRANSISTORS	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BD613	文件：121.23 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONEPIBASETRANSISTORS	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BL-B613C	文件：203.01 Kbytes Page：2 Pages	BIGGERSIZELEDLAMPS(ROUNDTYPES) BIGGERSIZELEDLAMPS(ROUNDTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-R613G	文件：203.01 Kbytes Page：2 Pages	BIGGERSIZELEDLAMPS(ROUNDTYPES) BIGGERSIZELEDLAMPS(ROUNDTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BSO613SPV	文件：90 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSO613SPVG	文件：1.21967 Mbytes Page：9 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
DG613AEQ
功能描述：
模拟开关 IC Quad SPST Switches
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
开关数量：
2
开关配置：
SPDT
开启电阻（最大值）：
0.1 Ohms
工作电源电压：
2.7 V to 4.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DSBGA-16

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DG613AEQ供应商更新时间2024-5-23 13:19:00

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