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AOD408	文件：157.73 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD408usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAOD408isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD408LisaGreenProductorder	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD408L	文件：157.73 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD408usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAOD408isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD408LisaGreenProductorder	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI408	文件：960.87 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOI408	文件：331.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=53A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOU408	文件：353.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=105V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=28mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOU408	文件：70 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU408usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseinhighvoltagesynchronousrectification,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU408isPb-free(meetsROHS	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU408L	文件：70 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU408usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseinhighvoltagesynchronousrectification,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU408isPb-free(meetsROHS	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AQR408	文件：372.7 Kbytes Page：2 Pages	Gen2EthernetPHYs	AQUANTIAAQUANTIA CORP. 阿卡蒂亚阿卡蒂亚公司	AQUANTIA
ASB408L	文件：392.13 Kbytes Page：2 Pages	4AMPSILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES VOIDFREEVACUUMDIESOLDERINGFORMAXIMUMMECHANICALSTRENGTHANDHEATDISSIPATION(SolderVoids:Typical	DECDIOTEC Electronics Corporation DIOTEC Electronics Corporation	DEC
BR408	文件：103.11 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER	MIC MIC GROUP RECTIFIERS	MIC
BR408	文件：167.8 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BR408L	文件：171.43 Kbytes Page：2 Pages	40.0AMPSinglePhaseBridgeRectifiers	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BU408	文件：89.7 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BU408	文件：54.64 Kbytes Page：1 Pages	NPNSLICONPOWERTRANSISTORJEDECTO-220CASE DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORBU406seriestypesareSiliconNPNHighVoltagePowerTransistorsdesignedforfastswitching,horizontaldeflectionoutputstagesofmonitors.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BU408	文件：47.3 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageSwitching HighVoltageSwitching •UseInHorizontalDeflectionOutputStage	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BU408	文件：190.73 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltage:VCEV=400V(Min)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BU408	文件：91.27 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BU408	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BU408	文件：131.5 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BU408D	文件：132.07 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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详细参数

型号：
DG408DVZ
功能描述：
多路器开关 IC MUX
8：
1 16LD IND
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1
开关数量：
4
开启电阻（最大值）：
7 Ohms
传播延迟时间：
0.25 ns
工作电源电压：
2.3 V to 3.6 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UQFN-16

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	DG408DVZ	Renesas Electronics America In	24+	16-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)	25000	in stock接口IC-原装正品	询价
深圳市盈盛科创科技有限公司	DG408DVZ	INTERSIL	22+	TSSOP16	6336	全新原装正品现货优势供应	询价
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