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DF2B7ACT中文资料PDF规格书

DF2B7ACT
厂商型号

DF2B7ACT

参数属性

DF2B7ACT 封装/外壳为SOD-882;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为电路保护 > TVS - 二极管;产品描述:TVS DIODE 5.5VWM 20VC CST2

功能描述

ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar

文件大小

360.07 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社東芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-10 22:59:00

DF2B7ACT规格书详情

Applications

Mobile Equipment

 Smartphones

 Tablets

 Notebook PCs

Desktop PCs

Features

(1) Suitable for use with a 5 V signal line. (VRWM ≤ 5.5 V)

(2) Protects devices with its high ESD performance.

(VESD = ±30 kV (Contact / Air) @IEC61000-4-2)

(3) Low dynamic resistance protects semiconductor devices from static electricity and noise.

(RDYN = 0.2 Ω (typ.))

(4) Snapback characteristics realizing low clamping voltage protects semiconductor devices.

(VC = 11 V@IPP = 4 A (typ.))

(5) Compact package is suitable for use in high density board layouts such as in mobile devices.

(1.0 mm × 0.6 mm size (Nickname: CST2))

产品属性

  • 产品编号:

    DF2B7ACT,L3F

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    5.5V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    5.8V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    20V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    4A(8/20µs)

  • 功率 - 峰值脉冲:

    80W

  • 电源线路保护:

  • 不同频率时电容:

    8.5pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOD-882

  • 供应商器件封装:

    CST2

  • 描述:

    TVS DIODE 5.5VWM 20VC CST2

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