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DF2B6.8M1ACT

ESDProtectionDiodesSiliconEpitaxialPlanar

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

DF2B6.8M1ACT

ULTRALOWCAPACITANCEBIDIRECTIONALTVSDIODE

Features Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:5V Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV –IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(Lightning)4.5A(8/20μs) RoHSCompliant

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA/东芝
2019+PB
SOD-882
9000
原装正品 可含税交易
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TOSHIBA/东芝
22+
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DF2B6.8M1ACT 其他被动元件
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更多DF2B6.8M1ACT其他被动元件供应商 更新时间2024-5-3 14:00:00