选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
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TOSHIBA(东芝)X1DFN10062 |
6000 |
23+ |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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TOSHIBA(东芝)X1DFN10062 |
7350 |
23+ |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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TOSHIBA-东芝SMD-2.贴片 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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DF2B12M1CT(TPL3)图片
产品属性
- 产品编号:
DF2B12M1CT(TPL3)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
电路保护 > TVS - 二极管
- 包装:
卷带(TR)
- 类型:
齐纳
- 电压 - 反向断态(典型值):
8V(最大)
- 电压 - 击穿(最小值):
10V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):
18V(标准)
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):
1A(8/20µs)
- 电源线路保护:
无
- 应用:
通用
- 不同频率时电容:
0.3pF @ 1MHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOD-882
- 供应商器件封装:
CST2
- 描述:
TVS DIODE 8VWM 18VC CST2