DD435N分立半导体产品二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料
厂商型号 |
DD435N |
参数属性 | DD435N 封装/外壳为模块;包装为盒;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列;产品描述:DIODE MODULE GP 3400V 573A |
功能描述 | Pressure contact technology for high reliability |
文件大小 |
653.08 Kbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-12 17:47:00 |
DD435N规格书详情
Key Parameters
VDRM / VRRM 2800 - 4000 V
IFAVM 435 A (TC=100 °C)
IFSM 3570A (T 14500 A C=55°C)
VT0 0,84 V
rT 0,6 mΩ
RthJC 0,078 K/W
Base plate 60 mm
Weight 1500 g
Features
• Pressure contact technology for high reliability
• Industrial standard package
• Electrically insulated base plate
Typical Applications
• Rectifier for drives applications
• Rectifiers for UPS
• Battery chargers
DD435N属于分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列。英飞凌科技公司制造生产的DD435N二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。
产品属性
- 产品编号:
DD435N34KHPSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 包装:
盒
- 二极管配置:
1 对串联
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):
573A
- 速度:
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
- 工作温度 - 结:
-40°C ~ 150°C
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
模块
- 供应商器件封装:
模块
- 描述:
DIODE MODULE GP 3400V 573A
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
22+ |
NA |
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Infineon/英飞凌 |
23+ |
BG-PB60-1 |
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Infineon/英飞凌 |
23+ |
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INFINEON |
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Infineon(英飞凌) |
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