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DD435N分立半导体产品二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

DD435N
厂商型号

DD435N

参数属性

DD435N 封装/外壳为模块;包装为盒;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列;产品描述:DIODE MODULE GP 3400V 573A

功能描述

Pressure contact technology for high reliability
DIODE MODULE GP 3400V 573A

文件大小

653.08 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-12 17:47:00

DD435N规格书详情

Key Parameters

   VDRM / VRRM 2800 - 4000 V

   IFAVM 435 A (TC=100 °C)

   IFSM 3570A (T 14500 A C=55°C)

   VT0 0,84 V

   rT 0,6 mΩ

   RthJC 0,078 K/W

   Base plate 60 mm

   Weight 1500 g

Features

• Pressure contact technology for high reliability

• Industrial standard package

• Electrically insulated base plate

Typical Applications

• Rectifier for drives applications

• Rectifiers for UPS

• Battery chargers

DD435N属于分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列。英飞凌科技公司制造生产的DD435N二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

产品属性

  • 产品编号:

    DD435N34KHPSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

  • 二极管配置:

    1 对串联

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    573A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    模块

  • 描述:

    DIODE MODULE GP 3400V 573A

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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