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DAP222T1分立半导体产品二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

DAP222T1
厂商型号

DAP222T1

参数属性

DAP222T1 封装/外壳为SC-75,SOT-416;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列;产品描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75

功能描述

Common Anode Silicon Dual Switching Diodes
DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75

文件大小

54.53 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-3 22:30:00

DAP222T1规格书详情

These Common Anode Silicon Epitaxial Planar Dual Diodes are designed for use in ultra high speed switching applications. The DAP222 device is housed in the SC−75/SOT−416 package which is designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium. The DAP202U device is housed in the SC−70/SOT−323 package.

Features

• Fast trr

• Low CD

• Pb−Free Package is Available

DAP222T1属于分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列。安森美半导体公司制造生产的DAP222T1二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

产品属性

  • 产品编号:

    DAP222T1

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 二极管配置:

    1 对共阳极

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    100mA(DC)

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-75,SOT-416

  • 供应商器件封装:

    SC-75,SOT-416

  • 描述:

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75

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