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BD235	文件：1.17188 Mbytes Page：2 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:BD233:45VBD235:60VBD237:100V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ:150℃Tstg:-65℃to+150℃	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BD235	文件：75.78 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheBD235andBD237aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinJedecSOT-32plasticpackageintededforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareBD236andBD238respectively. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD235	文件：180.88 Kbytes Page：3 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistors NPNEpitaxialPlanarTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BD235	文件：265.99 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD235	文件：58.18 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:BD233:45VBD235:60VBD237:100V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ:150℃Tstg:-65℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BD235	文件：261.41 Kbytes Page：9 Pages	NPNpowertransistors Description ThedevicesaremanufacturedinPlanartechnologywith“BaseIsland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage.ThePNPtypesareBD236andBD238respectively. Features ■NPNtransistors Applications ■Audio,	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD235	文件：100.85 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD234/236/238 APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD235	文件：1.9422 Mbytes Page：14 Pages	GERMANIOVETRANZISTORY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BD235NPN	文件：492.4 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearSwitchingApplications	CDIL CDIL	CDIL
BD235-TU	文件：2.48834 Mbytes Page：5 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ComplementtoBD234/BD236/BD238respectively	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BFG235	文件：99.65 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ●Forlow-distortionbroadbandoutputamplifier stagesinantennaandtelecommunication systemsupto2GHzatcollectorcurrentsfrom 120mAto250mA ●PoweramplifiersforDECTandPCNsystems ●Integratedemitterballastresistor ●fT=5.5GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFG235	文件：48.73 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlow-distortionbroadbandoutputamplifierstagesinantennaandtelecommunications) NPNSiliconRFTransistor •Forlow-distortionbroadbandoutputamplifier stagesinantennaandtelecommunications systemsupto2GHzatcollectorcurrentsfrom 120mAto250mA •PoweramplifiersforDECTandPCNsystems •Integratedemitterballastresistor •fT=5.5GHz	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFG235	文件：63.72 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFQ235	文件：67.6 Kbytes Page：8 Pages	NPNvideotransistor DESCRIPTION NPNvideotransistorinaSOT128B(TO-202)plasticpackage. PNPcomplement:BFQ255A. FEATURES •Highbreakdownvoltages •Lowoutputcapacitance •Highgainbandwidth •Goodthermalstability •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •CRTamplifierbuf	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFQ235A	文件：67.6 Kbytes Page：8 Pages	NPNvideotransistor DESCRIPTION NPNvideotransistorinaSOT128B(TO-202)plasticpackage. PNPcomplement:BFQ255A. FEATURES •Highbreakdownvoltages •Lowoutputcapacitance •Highgainbandwidth •Goodthermalstability •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS •CRTamplifierbuf	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BH235	文件：126.61 Kbytes Page：1 Pages	BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
BSD235C	文件：258.67 Kbytes Page：13 Pages	OptiMOS??2OptiMOS??P2SmallSignalTransistor Features •ComplementaryP+Nchannel •Enhancementmode •SuperLogiclevel(2.5Vrated) •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSD235C	文件：527.49 Kbytes Page：13 Pages	OptiMOS??2OptiMOS??P2SmallSignalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSD235C	文件：2.30184 Mbytes Page：20 Pages	Single-channelisolatedgatedriverICwithadjustableDESATandsoft-off Features •600V,650V,900V,and1200VIGBTs,SiCandSiMOSFETs •40Vabsolutemaximumoutputsupplyvoltage •±3A,±6A,and±9Atypicalsinkingandsourcingpeakoutputcurrent •SeparatesourceandsinkoutputsforhardswitchingandwithactiveMillerclamp/clampdriver •Adjustme	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSD235N	文件：507.74 Kbytes Page：9 Pages	Enhancementmode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
DAN235U
制造商：
ROHM
制造商全称：
Rohm
功能描述：
Band switching diode

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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