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UPD43256BGU-A12

256K-BITCMOSSTATICRAM32K-WORDBY8-BIT

[NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPD43256BGU-A12

256K-BITCMOSSTATICRAM32K-WORDBY8-BIT

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256K-BITCMOSSTATICRAM32K-WORDBY8-BIT

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MOSINTEGRATEDCIRCUIT

Features •32,768wordsby8bitsorganization •Fastaccesstime:70,85,100,120ns(MAX.) •Lowvoltageoperation(Aversion:VCC=3.0to5.5V,Bversion:VCC=2.7to5.5V) •LowVCCdataretention:2.0V(MIN.) •/OEinputforeasyapplication

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UPD43256BGU-A12-A

MOSINTEGRATEDCIRCUIT

Features •32,768wordsby8bitsorganization •Fastaccesstime:70,85,100,120ns(MAX.) •Lowvoltageoperation(Aversion:VCC=3.0to5.5V,Bversion:VCC=2.7to5.5V) •LowVCCdataretention:2.0V(MIN.) •/OEinputforeasyapplication

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256K-BITCMOSSTATICRAM32K-WORDBY8-BIT

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更多D43256BGU-A12供应商 更新时间2024-5-1 14:40:00