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FM230-MT	文件：60.35 Kbytes Page：7 Pages	ChipSchottkyBarrierRectifier 2.0ASurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers-20V-200V Features •Batchprocessdesign,excellentpowerdissipationoffersbetterreverseleakagecurrentandthermalresistance. •Lowprofilesurfacemountedapplicationinordertooptimizeboardspace. •TinyplasticSMDpackage. •Lowpo	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM230-N	文件：72.04 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurr	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM230-S	文件：640.04 Kbytes Page：3 Pages	2ASMDSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS,20V-200V	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
FME-230A	文件：32.39 Kbytes Page：1 Pages	100V,30ASchottkybarrierdiodeinTO220Fpackage	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
FMEN-230A	文件：206.9 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageSchottkyBarrierRectifier	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
FMEN-230A	文件：206.47 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageSchottkyBarrierRectifier	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
FMEN-230B	文件：262.23 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiode Scope ThepresentspecificationsshallapplytoanFMEN-230B. Outline TypeSiliconSchottkyBarrierDiode StructureResinMolded ApplicationsHighFrequencyRectification Flammability UL94V-0(Equivalent)	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
FMEN-230B	文件：262.53 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiode	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
FML230	文件：244.44 Kbytes Page：6 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
FMM230	文件：275.53 Kbytes Page：6 Pages	LOWVfSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
FMM230A	文件：169.18 Kbytes Page：6 Pages	LOWVfSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
FRL230D	文件：47.94 Kbytes Page：6 Pages	5A,200V,0.500Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRL230H	文件：47.94 Kbytes Page：6 Pages	5A,200V,0.500Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRL230R	文件：47.94 Kbytes Page：6 Pages	5A,200V,0.500Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRM230D	文件：59.46 Kbytes Page：6 Pages	8A,200V,0.50Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRM230H	文件：59.46 Kbytes Page：6 Pages	8A,200V,0.50Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRM230R	文件：59.46 Kbytes Page：6 Pages	8A,200V,0.50Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRS230D	文件：48.91 Kbytes Page：6 Pages	7A,200V,0.515Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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更多D230D供应商更新时间2024-6-14 17:42:00

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