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HETD1302	文件：402.35 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
HLMP1302	文件：266.35 Kbytes Page：4 Pages	DIFFUSEDT-100SOLIDSTATELAMPS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HLMP-1302	文件：260.769 Kbytes Page：4 Pages	DIFFUSEDT-100SOLIDSTATELAMPS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HLMP-1302	文件：237.51 Kbytes Page：3 Pages	DIFFUSEDT-100SOLIDSTATELAMPS	QT QT Brightek (QTB)	QT
HLMP-1302	文件：179.96 Kbytes Page：6 Pages	T-1(3mm)DiffusedLEDLamps Description ThisfamilyofT-1lampsiswidelyusedingeneralpurposeindicatorapplications.Diffusants,tints,andopticaldesignarebalancedtoyieldsuperiorlightoutputandwideviewingangles.Severalintensitychoicesareavailableineachcolorforincreaseddesignflexibility.	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HM1302	文件：3.49027 Mbytes Page：10 Pages	realtimecountingseconds,minutes,hours,dayofthemonth	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HX1302FNL	文件：454.69 Kbytes Page：3 Pages	MDL,SIN,100D,1:1,SM,TU	pulse Pulse Electronics	pulse
HX1302NL	文件：301.63 Kbytes Page：3 Pages	MDL,SIN,100D,1:1,SMT	pulse Pulse Electronics	pulse
HY1302S	文件：1.45035 Mbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微华羿微电子股份有限公司	HUAYI
IRF1302	文件：523.539 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=20V,Rds(on)=4.0mohm,Id=180A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fast	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1302L	文件：229.09 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=20V,Rds(on)=4.0mohm,Id=174A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fast	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1302PBF	文件：165.37 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET(VDSS=20V,RDS(on)=4.0m廓,ID=180A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1302S	文件：229.09 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=20V,Rds(on)=4.0mohm,Id=174A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fast	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
ISP1302HN	文件：362.03 Kbytes Page：64 Pages	UniversalSerialBusOn-The-Gotransceiverwithcarkitsupport	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
ISP1302UK	文件：362.03 Kbytes Page：64 Pages	UniversalSerialBusOn-The-Gotransceiverwithcarkitsupport	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
KI1302DL	文件：58.78 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KRF1302S	文件：76.96 Kbytes Page：2 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KTD1302	文件：462 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SmallFlatPackage ●AudioMutingApplication ●HighEmitter-BaseVoltage	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
KTD1302	文件：204.21 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(AUDIOMUTING) AUDIOMUTINGAPPLICATION. FEATURES •HighEmitter-BaseVoltage:VEBO=12V(Min.). •HighReversehFE:ReversehFE=20(Min.)(VCE=2V,IC=4mA). •LowonResistance:RON=0.6ή(Typ.)(IB=1mA).	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTD1302	文件：1.53177 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES SmallFlatPackage AudioMutingApplication HighEmitter-BaseVoltage	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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更多D1302F供应商更新时间2024-5-31 15:11:00

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