DTA114EET1G价格：￥0.0815品牌：ONSemi

DTA114EE制造商:ROHM 功能描述:DIVIDER TYPE PNP SM DIGITAL TRANSISTOR EMT3 150mW 10K / 10K 制造商:ROHM 功能描述:DIVIDER TYPE PNP SM DIGITAL TRANSISTOR EMT3 150mW 10K / 10K - free partial T/R at 500. 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Tr,BRT,PNP, 50V/50mA, 10/10 Ohm,EMT3

DTA114EE RK功能描述:两极晶体管 - BJT Digital Transistor PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

DTA114EE_09制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:100mA / 50V Digital transistors(with built-in resistors)

DTA114EEATL制造商:ROHM Semiconductor

DTA114EEB制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:100mA / 50V Digital transistors(with built-in resistors)

DTA114EEB_09制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:100mA / 50V Digital transistors(with built-in resistors)

DTA114EEBTL功能描述:TRAN DIGITL PNP 50V 100MA EMT3F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:50V 电阻器 - 基极(R1)（欧）:47k 电阻器 - 发射极(R2)（欧）:47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷(TR) 其它名称:SP000756242

DTA114EEFRATL功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 Trans Digital BJT PNP 100mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel

DTA114EEFTL功能描述:两极晶体管 - BJT DIGITAL PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

DTA114EET1功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel