选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
|
DIODES(美台)DFN-3(0 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
|
DIODES/美台DFN1006 |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
Diodes IncorporatedX1-DFN1006-3 |
30000 |
23+ |
|
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
||
|
深圳市正纳电子有限公司11年
留言
|
Diodes(美台)NA |
20094 |
23+ |
|
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
||
|
深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
|
N/A |
35800 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
|||
|
中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
|
DiodesIncorporated3-UFDFN |
56800 |
19+ |
只卖原装正品!价格超越代理!可开增值税发票! |
|||
|
北京京北通宇电子元件有限公司11年
留言
|
DIODES INCORPORATEDNA |
82 |
23+ |
|
现货!就到京北通宇商城 |
||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
DIODES/美台3-DFN1006 |
25000 |
22+ |
只有原装原装,支持BOM配单 |
|||
|
深圳市轩祺电子有限公司2年
留言
|
DIODESNA |
10000 |
22+ |
只做原装,可配单 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Diodes(美台)NA/ |
8735 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Diodes(美台)X1-DFN1006-3 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
|
深圳市弘为电子有限公司9年
留言
|
DIODES9.60*5.00*10.00 |
30000 |
22+ |
只做原装 |
|||
|
深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
|
DIODES/美台DFN1006-3 |
12000 |
1833+ |
原装现货!天天特价!随时可以货! |
|||
|
深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
|
DIODES/美台DFN1006-3 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
DIODESDFN |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
佛山市芯光达科技有限公司8年
留言
|
DIODES(美台) |
10957 |
23+ |
进口原装假一赔十可开增值票 |
|||
|
深圳硅原半导体有限公司7年
留言
|
DIODES/美台DFN |
28533 |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十! |
||||
|
深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
|
DIODES/美台3-DFN1006 |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
|||
|
深圳市正纳电子有限公司7年
留言
|
Diodes(美台)NA |
20094 |
23+ |
原装正品 可支持验货,欢迎咨询 |
|||
|
深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
|
DIODESNA |
32350 |
22+ |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
DMP58D0LFB-7采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
DMP58D0LFB-7图片
DMP58D0LFB-7价格
DMP58D0LFB-7价格:¥0.3857品牌:Diodes
生产厂家品牌为Diodes的DMP58D0LFB-7多少钱,想知道DMP58D0LFB-7价格是多少?参考价:¥0.3857。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,DMP58D0LFB-7批发价格及采购报价,DMP58D0LFB-7销售排行榜及行情走势,DMP58D0LFB-7报价。
DMP58D0LFB-7中文资料Alldatasheet PDF
更多DMP58D0LFB-7功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 X1-DFN1006-3 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP58D0LFB-7B功能描述:MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件