| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
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MicrosemiN/A |
908 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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ADPOW原厂原包 |
19960 |
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只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
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MicrosemiSMD |
5500 |
2018+ |
长期供应原装现货实单可谈 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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ADPOW原厂原包 |
8700 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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Microsemi Corporation55ST-1 |
9350 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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MICROSEMI55ST-1 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
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N/A |
35900 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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MICROSEMI55ST-1 |
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DME800图片
DME800中文资料Alldatasheet PDF
更多DME800制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DME800 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT 制造商:Microsemi 功能描述:Trans GP BJT NPN 65V 50A 3-Pin Case 55ST-1
产品属性
- 产品编号：
DME800
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
65V
- 频率 - 跃迁：
1.025GHz ~ 1.15GHz
- 增益：
9dB ~ 10dB
- 功率 - 最大值：
2500W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 600mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
55ST-1
- 供应商器件封装：
55ST-1
- 描述：
RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55ST-1
