选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
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1688 |
23+ |
房间现货库存:QQ:373621633 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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IXYS-RF6-SMD,扁平引线裸焊盘 |
9350 |
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独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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IXYSNA |
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只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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DE150-102N02A中文资料Alldatasheet PDF
更多DE150-102N02A功能描述:N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Qg and Rg High dv/dt Nanosecond Switching RF Power MOSFET
产品属性
- 产品编号:
DE150-102N02A
- 制造商:
IXYS-RF
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 系列:
DE
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
N 通道
- 额定电流(安培):
2A
- 功率 - 输出:
200W
- 封装/外壳:
6-SMD,扁平引线裸焊盘
- 供应商器件封装:
DE150
- 描述:
RF MOSFET N-CHANNEL DE150