| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
|
 |
ST/意法TO-220-3 |
35000 |
23+ |
|
热卖原装现货 |
|
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
STTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳兆威电子有限公司6年
留言
|
ST/意法TO-220ABNONISOL |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
|
深圳市水星电子有限公司3年
留言
|
ST/意法TO-220 |
3000 |
23+ |
水星电子只做原装,支持一站式BOM配单 |
|||
|
深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
|
ST/意法TO-220 |
25000 |
23+ |
代理渠道假一罚十 |
|||
|
易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
|
STMTO-220-3 |
3000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
|||
|
深圳市芯巴巴科技有限公司2年
留言
|
ST(意法半导体)TO-220 |
10000 |
22+ |
只做原装现货 假一赔万 |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
ST/意法TO-220-3 |
363 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
|||
|
中科国际电子(深圳)有限公司2年
留言
|
ST/意法TO-220-3 |
30000 |
22+ |
原厂原装现货 |
|||
|
深圳市安博威科技有限公司4年
留言
|
STMTO-220-3 |
5550 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
ST/意法TO-220-3 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
|
ST(意法半导体)TO-220 |
253 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
|||
|
深圳兆威电子有限公司5年
留言
|
ST专家TO220ABNONISOL |
8596 |
1813+ |
只做原装正品 |
|||
|
深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
|
STMTO220ABNO |
6585 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
|||
|
深圳市天诺拓展科技有限公司1年
留言
|
STTO-220-3 |
63 |
21+ |
全新原装 支持BOM配单 |
|||
|
深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
|
 |
SOP8 |
80000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
||
|
深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
|
安森美TO220 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
|
深圳兆威电子有限公司6年
留言
|
ON/安森美TO-220AB |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
|
ON/安森美TO220 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
|
深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
|
ON/安森美TO-220 |
3500 |
24+ |
只做原装进口假一赔十全部自己现货库存 |
D45H11采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
D45H11图片
D45H11G价格
D45H11G价格：￥2.1874品牌：ON
生产厂家品牌为ON的D45H11G多少钱，想知道D45H11G价格是多少？参考价：￥2.1874。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，D45H11G批发价格及采购报价，D45H11G销售排行榜及行情走势，D45H11G报价。
D45H11G资讯
D45H11G
特点 •低集电极-发射极饱和电压 的VCE（sat）=1.0V（最大）8.0A •快速开关速度 •互补对简化设计 •？Pb-Free包可以* 最大额定值 评级符号值单位 集电极-发射极电压 D44H8
D45H11G中文资料Alldatasheet PDF
更多D45H11功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
D45H11121制造商:Harris Corporation
D45H11FP功能描述:两极晶体管 - BJT PNP GEN PUR SWITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
D45H11G功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 80V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
D45H11J3制造商:CYSTEKEC 制造商全称:Cystech Electonics Corp. 功能描述:Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
产品属性
- 产品编号：
D45H11
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
- 频率 - 跃迁：
40MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS PNP 80V 10A TO220
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
10A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
ECG378,NTE378,SK9113,
- 最大耗散功率：
50W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-21
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
50
