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CY7C2265KV18-550BZXC中文资料PDF规格书

CY7C2265KV18-550BZXC
厂商型号

CY7C2265KV18-550BZXC

参数属性

CY7C2265KV18-550BZXC 封装/外壳为165-LBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

功能描述

36-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT

文件大小

910.21 Kbytes

页面数量

32

生产厂商 CypressSemiconductor
企业简称

Cypress赛普拉斯

中文名称

赛普拉斯半导体公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-3 22:30:00

产品属性

  • 产品编号:

    CY7C2265KV18-550BZXC

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,QDR II+

  • 存储容量:

    36Mb(1M x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-LBGA

  • 供应商器件封装:

    165-FBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

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