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CY7C1049BL-25VC	文件：132.41 Kbytes Page：10 Pages	512K x 8 Static RAM FunctionalDescription[1] TheCY7C1049Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas524,288wordsby8bits. Features •Highspeed —tAA=12ns •Lowactivepower —1320mW(max.) •LowCMOSstandbypower(CommercialLversion) —2.75mW(max.) •2.0VDataRetention(400	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049BL-25VC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ	CYP Cypress Semiconductor Corp	CYP
CY7C1049BL-25VI	文件：132.41 Kbytes Page：10 Pages	512Kx8StaticRAM FunctionalDescription[1] TheCY7C1049Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas524,288wordsby8bits. Features •Highspeed —tAA=12ns •Lowactivepower —1320mW(max.) •LowCMOSstandbypower(CommercialLversion) —2.75mW(max.) •2.0VDataRetention(400	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

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CY7C1049BL-25VC

文件：132.41 Kbytes

Page：10 Pages

512K x 8 Static RAM

FunctionalDescription[1] TheCY7C1049Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas524,288wordsby8bits. Features •Highspeed —tAA=12ns •Lowactivepower —1320mW(max.) •LowCMOSstandbypower(CommercialLversion) —2.75mW(max.) •2.0VDataRetention(400

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

Cypress

CY7C1049BL-25VC

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：管件封装/外壳：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

CYP

Cypress Semiconductor Corp

CYP

CY7C1049BL-25VI

文件：132.41 Kbytes

Page：10 Pages

512Kx8StaticRAM

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

Cypress

产品属性

产品编号：
CY7C1049BL-25VC
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
4Mb（512K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
36-SOJ
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

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