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CY7C1041B-15VC	文件：360.34 Kbytes Page：10 Pages	256K x 16 Static RAM TheCY7C1041Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas262,144wordsby16bits. Features •Highspeed —tAA=12ns •Lowactivepower —1540mW(max.) •LowCMOSstandbypower(Lversion) —2.75mW(max.) •2.0VDataRetention(400µWat2.0Vretention) •Aut	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1041B-15VC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ	CYP Cypress Semiconductor Corp	CYP
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CY7C1041B-15ZI	文件：253.2 Kbytes Page：11 Pages	256Kx16StaticRAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1041B-15ZI	文件：360.34 Kbytes Page：10 Pages	256Kx16StaticRAM TheCY7C1041Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas262,144wordsby16bits. Features •Highspeed —tAA=12ns •Lowactivepower —1540mW(max.) •LowCMOSstandbypower(Lversion) —2.75mW(max.) •2.0VDataRetention(400µWat2.0Vretention) •Aut	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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产品属性

产品编号：
CY7C1041B-15VC
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
4Mb（256K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-SOJ
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

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