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CY62256LL-70SNXCT	文件：329.28 Kbytes Page：13 Pages	256K (32K x 8) Static RAM FunctionalDescription[1] TheCY62256isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas32Kwordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE)andactiveLOWoutputenable(OE)andthree-statedrivers.Thisdevicehasanautomaticpower-downfeature,reducingth	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62256LL-70SNXCT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC	CYP Cypress Semiconductor Corp	CYP
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CY62256LL-70SNC	文件：478.64 Kbytes Page：14 Pages	256K(32Kx8)StaticRAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY62256LL-70ZI	文件：374.76 Kbytes Page：12 Pages	StaticRAM	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
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CY62256LL-70ZRC	文件：394.78 Kbytes Page：12 Pages	256K(32Kx8)StaticRAM FunctionalDescription TheCY62256isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas32,768wordsby8bits. Features •4.5V–5.5VOperation •Lowactivepower(70ns,LLversion) —275mW(max.) •Lowstandbypower(70ns,LLversion) —28µW(max.) •55,70nsaccesstime •Easy	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

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产品属性

产品编号：
CY62256LL-70SNXCT
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
MoBL®
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
70ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
28-SOIC
描述：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC

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