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PCM-3618	文件：558.56 Kbytes Page：2 Pages	PC/104DatacomModules	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
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PE3618	文件：131.62 Kbytes Page：1 Pages	CABLEASSEMBLY,RG216/U,75OHMNMALETO75OHMNMALE	PASTERNACKPasternack Enterprises, Inc. 帕斯特纳克	PASTERNACK
PE3618LF	文件：136.12 Kbytes Page：1 Pages	CABLEASSEMBLY,RG216/U,75OHMNMALETO75OHMNMALE	PASTERNACKPasternack Enterprises, Inc. 帕斯特纳克	PASTERNACK
PST3618NR	文件：155.25 Kbytes Page：20 Pages	ICforCMOSSystemReset	MITSUMIMITSUMI ELECTRIC CO.,LTD. 美上美三美电机株式会社	MITSUMI
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RMQCEA3618DGBA	文件：416.34 Kbytes Page：31 Pages	36-MbitDDR™IISRAM2-wordBurstArchitecture(2.5CycleReadlatency)withODT Description TheRMQCEA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQCEA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RMQCHA3618DGBA	文件：846.53 Kbytes Page：30 Pages	36-MbitDDR™IISRAM2-wordBurstArchitecture(2.0CycleReadlatency) Description TheRMQCHA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQCHA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RMQCHA3618DGBA	文件：885.33 Kbytes Page：30 Pages	36-MbitDDR™IISRAM2-wordBurstArchitecture(2.0CycleReadlatency) Description TheRMQCHA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQCHA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RMQSAA3618DGBA	文件：363.53 Kbytes Page：30 Pages	36-MbitQDR™IISRAM4-wordBurstArchitecture(2.5CycleReadlatency) Description TheRMQSAA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQSAA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RMQSDA3618DGBA	文件：403.69 Kbytes Page：31 Pages	36-MbitQDR™IISRAM4-wordBurstArchitecture(2.5CycleReadlatency)withODT Description TheRMQSDA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQSDA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RMQSGA3618DGBA	文件：359.37 Kbytes Page：30 Pages	36-MbitQDR™IISRAM4-wordBurstArchitecture(2.0CycleReadlatency) Description TheRMQSGA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQSGA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RMQSKA3618DGBA	文件：399.71 Kbytes Page：31 Pages	36-MbitQDR™IISRAM4-wordBurstArchitecture(2.0CycleReadlatency)withODT Features PowerSupply 1.8Vforcore(VDD),1.4VtoVDDforI/O(VDDQ) Clock Fastclockcycletimeforhighbandwidth Twoinputclocks(Kand/K)forpreciseDDRtimingatclockrisingedgesonly Twooutputechoclocks(CQand/CQ)simplifydatacaptureinhigh-speedsystems	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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TDA3618	文件：110.44 Kbytes Page：24 Pages	Multiplevoltageregulatorwithswitchandignitionbuffers	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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详细参数

型号：
CY3618
制造商：
Cypress Semiconductor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CY3618供应商更新时间2024-5-24 10:30:00

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