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CY14B108L-ZS20XI	文件：860.72 Kbytes Page：24 Pages	8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B108L/CY14B108NisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas1024Kbytesof8bitseachor512Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B108L-ZS20XI	文件：952.74 Kbytes Page：25 Pages	8-Mbit (1024 K x 8/512 K x 16) nvSRAM Infinite Read, Write, and RECALL cycles	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B108L-ZS20XI	文件：889.09 Kbytes Page：24 Pages	8-Mbit (1024 K 횞 8/512 K 횞 16) nvSRAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B108L-ZS20XI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II	CYP Cypress Semiconductor Corp	CYP
CY14B108L-ZS20XIT	文件：860.72 Kbytes Page：24 Pages	8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B108L/CY14B108NisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas1024Kbytesof8bitseachor512Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY14B108L-ZS20XIT	文件：952.74 Kbytes Page：25 Pages	8-Mbit (1024 K x 8/512 K x 16) nvSRAM Infinite Read, Write, and RECALL cycles	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B108L-ZS20XIT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II	CYP Cypress Semiconductor Corp	CYP
CY14B108L-ZS20XC	文件：860.72 Kbytes Page：24 Pages	8Mbit(1024Kx8/512Kx16)nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B108L/CY14B108NisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas1024Kbytesof8bitseachor512Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B108L-ZS20XCT	文件：860.72 Kbytes Page：24 Pages	8Mbit(1024Kx8/512Kx16)nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B108L/CY14B108NisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas1024Kbytesof8bitseachor512Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

产品属性

产品编号：
CY14B108L-ZS20XI
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
8Mb（1M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
20ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP II
描述：
IC NVSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II

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