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CY14B104N-BA20XCT

4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

Cypress

CY14B104N-BA20XCT

包装:卷带(TR) 封装/外壳:48-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

CYP

Cypress Semiconductor Corp

CYP

CY14B104N-BA20XI

4Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

Cypress

CY14B104N-BA20XIT

4Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

Cypress

产品属性

  • 产品编号:

    CY14B104N-BA20XCT

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    NVSRAM

  • 技术:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量:

    4Mb(256K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    20ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    48-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    48-FBGA(6x10)

  • 描述:

    IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

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更多CY14B104N-BA20XCT供应商 更新时间2024-4-28 17:14:00