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CY14B104LA-BA45XIT	文件：863.54 Kbytes Page：23 Pages	4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B104LA-BA45XIT	文件：988.32 Kbytes Page：26 Pages	4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B104LA-BA45XIT	文件：961.93 Kbytes Page：25 Pages	4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B104LA-BA45XIT	文件：991.18 Kbytes Page：24 Pages	4-Mbit (512 K 횞 8/256 K 횞 16) nvSRAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B104LA-BA45XIT	文件：977.41 Kbytes Page：26 Pages	4-Mbit (512 K 횞 8/256 K 횞 16) nvSRAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B104LA-BA45XIT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：48-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA	CYP Cypress Semiconductor Corp	CYP
CY14B104LA-BA45XC	文件：863.54 Kbytes Page：23 Pages	4Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B104LA-BA45XCT	文件：863.54 Kbytes Page：23 Pages	4Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B104LA-BA45XI	文件：863.54 Kbytes Page：23 Pages	4Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B104LA-BA45XI	文件：991.18 Kbytes Page：24 Pages	4-Mbit(512K횞8/256K횞16)nvSRAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B104LA-BA45XI	文件：961.93 Kbytes Page：25 Pages	4-Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM20ns,25ns,and45nsaccesstimes	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B104LA-BA45XI	文件：988.32 Kbytes Page：26 Pages	4-Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B104LA-BA45XI	文件：977.41 Kbytes Page：26 Pages	4-Mbit(512K횞8/256K횞16)nvSRAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

产品属性

产品编号：
CY14B104LA-BA45XIT
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
4Mb（512K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
45ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFBGA
供应商器件封装：
48-FBGA（6x10）
描述：
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳兆威电子有限公司	CY14B104LA-BA45XIT	CYPRESS/赛普拉斯	2019+	BGA	7200	原装正品现货,可开13点税	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	CY14B104LA-BA45XIT	SPANSION(飞索)	2022+原装正品	FBGA-48(6x10)	18000	支持工厂BOM表配单公司只做原装正品货	询价
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深圳市百视威讯电子科技有限公司	CY14B104LA-BA45XIT		23+	N/A	46280	正品授权货源可靠	询价

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