选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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TI(德州仪器)标准 |
36803 |
24+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
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SOP8 |
2588 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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TI(德州仪器)VSON-8 |
16316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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TI(德州仪器)VSON-8-CLIP |
7969 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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TI(德州仪器)VSON-8 |
12048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳良洲科技有限公司2年
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TINA |
2500 |
23+ |
原装现货,实单价格可谈 |
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深圳市大联智电子有限公司3年
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TI/德州仪器QFN8 |
34000 |
21+ |
原装现货,一站式配套 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
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TISON8 |
2500 |
15+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市九方航科技有限公司2年
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TI8-SON |
12000 |
23+ |
九方航一站式全线配单,秉承只做原装 终端我们可以提供技术支持 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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TI/德州仪器SON8 |
8550 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
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TISON8 |
5630 |
17+ |
TI一级代理原厂授权渠道实单支持 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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TISON-8 |
6850 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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芯灿微(深圳)科技有限公司1年
留言
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TI/德州仪器VSON-CLIP-8 |
500000 |
22+ |
原装现货支持实单价优/含税 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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TI/德州仪器SON8 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
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TI品牌SON8 |
58000 |
23+ |
100%原装现货 |
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博速半导体(深圳)有限公司1年
留言
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TI/德州仪器VSON-CLIP-8 |
6000 |
20+ |
全新原装 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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TISMD |
6500 |
22+ |
只做原装正品.或订货假一赔十! |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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TI/德州仪器SON8 |
8000 |
2038+ |
原装正品现货假一罚十 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
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TI/德州仪器SNAN-8 |
2500 |
21+ |
一级代理品牌,价格优势原装正品准则 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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TI/德州仪器SON8 |
428 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市天芯半导体科技有限公司0755-8272566017727837185(微信75056055)QQ:177691499
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联系电话15818751958
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CSD16404Q5A 深圳市中亿伟业电子有限公司 0755-83232593
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CSD16401Q5功能描述:MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
CSD16403Q5A功能描述:MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
CSD16404Q5A功能描述:MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
CSD16406Q3功能描述:MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
CSD16407Q5功能描述:MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
CSD16407Q5C功能描述:MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
CSD16407Q5C_10制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:ID The NexFETa?¢ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.
CSD16408Q5功能描述:MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
CSD16408Q5_11制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.