CS8312集成电路（IC）栅极驱动器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
CS8312 |
| 参数属性 | CS8312 封装/外壳为8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC） > 栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP |
| 功能描述 | IGBT Ignition Predriver |
| 文件大小 |
59.01 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-3 20:03:00 |
CS8312规格书详情
The CS8312 is a bipolar microprocessor interface IC designed to drive an IGBT (or logic level MOSFETs) powering large inductive loads in harsh operating environments. The IC’s dynamic current limit function lets the microprocessor adjust the current limit threshold to the real time needs of the system.
Features
• µP Compatible Inputs
• Adjustable Current Limit Thresholds
• External Sense Resistor
• Flag Signal to Indicate Output Status
CS8312属于集成电路（IC） > 栅极驱动器。安森美半导体公司制造生产的CS8312栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。
产品属性
- 产品编号：
CS8312YN8
- 制造商：
onsemi
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
卷带（TR）
- 驱动配置：
低端
- 通道类型：
单路
- 栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
7V ~ 10V
- 输入类型：
非反相
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供应商器件封装：
8-PDIP
- 描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CS |
98+ |
SMD-8 |
95 |
原装 |
询价 | ||
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