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CMPTA13	文件：101.31 Kbytes Page：2 Pages	complementary silicon darlington transistors DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPTA13andCMPTA63seriesarecomplementarysilicondarlingtontransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforapplicationsrequiringextremelyhighgain. MARKINGCODES:CMPTA13:C1M	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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CMPTA13

文件：101.31 Kbytes

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complementary silicon darlington transistors

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPTA13andCMPTA63seriesarecomplementarysilicondarlingtontransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforapplicationsrequiringextremelyhighgain. MARKINGCODES:CMPTA13:C1M

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

CMPTA13

文件：321.8 Kbytes

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SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON TRANSISTORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

晶体管资料

型号：
CMPTA13
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.35W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0
wtest：
.35

详细参数

型号：
CMPTA13
功能描述：
达林顿晶体管 NPN GP Darlington
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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