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CM800E2C-66H	文件：55.68 Kbytes Page：4 Pages	2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules HIGHPOWERSWITCHINGUSEINSULATEDTYPE ●IC...................................................................800A ●VCES.......................................................3300V ●InsulatedType ●1-elementsinapack(forbrake) ●AISiCbaseplate APPLICATION DCchoppers,Dynamic	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi

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CM800E2C-66H

文件：55.68 Kbytes

Page：4 Pages

2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

HIGHPOWERSWITCHINGUSEINSULATEDTYPE ●IC...................................................................800A ●VCES.......................................................3300V ●InsulatedType ●1-elementsinapack(forbrake) ●AISiCbaseplate APPLICATION DCchoppers,Dynamic

MitsubishiMITSUBISHI electlic

三菱电机

Mitsubishi

详细参数

型号：
CM800E2C-66H
制造商：
Powerex Power Semiconductors
功能描述：
POWER IGBT TRANSISTOR

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