| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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MITSUBISHI/三菱IGBT |
650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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MITSUBISIGBT |
77 |
08+ |
全新进口原装绝对公司现货特价! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IGBT模块 |
202 |
23+ |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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MITSUBISHI/三菱IGBT |
500 |
23+ |
全新原装现货,价格优势 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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MITSUBISSOP16 |
18000 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
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IGBT |
980 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
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MITSUBIS |
395 |
23+ |
现货供应 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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PowerexIncIGBTMODDUAL1400V50AHSER |
1690 |
23+ |
专业代理销售半导体模块,能提供更多数量 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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MITSUBISHI/三菱NA |
1120 |
22+ |
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Powerex Inc.Module |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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MITSUBISHI50A/1400V/IG |
50 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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Powerex |
4 |
公司优势库存 热卖中!! |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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MITSUBISHIMODULE |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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MITSUBISHI模块 |
3562 |
23+ |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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MITSUBISHI模块 |
10 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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MITSUBISHIPR模块 |
800 |
22+ |
原装现货,可开13%税票 |
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华富测量(深圳)传感技术有限公司7年
留言
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原厂模块 |
600 |
2023+ |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
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深圳市浩宇伟业电子有限公司12年
留言
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MITSUBISHI |
35000 |
22+ |
OEM工厂,中国区10年优质供应商! |
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深圳市佳杰伟业科技有限公司12年
留言
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MITSUBISHIMODULE |
33 |
2306+ |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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MITSUBISHI模块 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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CM50DY图片
CM50DY-28H中文资料Alldatasheet PDF
更多CM50DY12E功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C)
CM50DY-12H功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 50A H SER RoHS:否 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容(Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
CM50DY24E功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C)
CM50DY-24E制造商:PRX
CM50DY-24H功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 50A H SER RoHS:否 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容(Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
CM50DY28功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.4KV V(BR)CES | 50A I(C)
CM50DY-28H功能描述:IGBT MOD DUAL 1400V 50A H SER RoHS:否 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容(Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
