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KRC837E	文件：69.41 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION FEATURES WithBuilt-inBiasResistors. SimplifyCircuitDesign. ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRC837U	文件：69.89 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
LM837	文件：414.06 Kbytes Page：8 Pages	LowNoiseQuadOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM837M	文件：414.06 Kbytes Page：8 Pages	LowNoiseQuadOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM837M	文件：1.12678 Mbytes Page：16 Pages	LM837LowNoiseQuadOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LM837M/NOPB	文件：1.12678 Mbytes Page：16 Pages	LM837LowNoiseQuadOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LM837MX	文件：1.12678 Mbytes Page：16 Pages	LM837LowNoiseQuadOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LM837MX/NOPB	文件：1.12678 Mbytes Page：16 Pages	LM837LowNoiseQuadOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LM837N	文件：414.06 Kbytes Page：8 Pages	LowNoiseQuadOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LT837HT	文件：174.67 Kbytes Page：3 Pages	PhotoDMOS-FETRelay Description TheLT837HTisa1-FormAsolidstaterelayina6pinDIPpackagethatemploys opticallycoupledMOSFETtechnologytoprovide3750V/5000Vofinputtooutput isolation.TheopticallycoupledinputiscontrolledbyahighlyefficientGaAlAsinfrared LEDandMOSFETsontheoutputsi	LETEXLETEX technology corp 台湾丽太丽太科技股份有限公司	LETEX
MAX837	文件：61.79 Kbytes Page：6 Pages	4-PinMicropowerVoltageMonitors GeneralDescription TheMAX836/MAX837micropowervoltagemonitorscontaina1.204VprecisionbandgapreferenceandacomparatorinaSOT143package.TheMAX836hasanopen-drain,n-channeloutputdriver,whiletheMAX837hasapush-pulloutputdriver.Twoexternalresistorssetthetripthreshold	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX837EUS	文件：91.31 Kbytes Page：8 Pages	PLASTICENCAPSULATEDDEVICES	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX837EUS-T	文件：61.79 Kbytes Page：6 Pages	4-PinMicropowerVoltageMonitors GeneralDescription TheMAX836/MAX837micropowervoltagemonitorscontaina1.204VprecisionbandgapreferenceandacomparatorinaSOT143package.TheMAX836hasanopen-drain,n-channeloutputdriver,whiletheMAX837hasapush-pulloutputdriver.Twoexternalresistorssetthetripthreshold	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX837EUS-T	文件：106.73 Kbytes Page：7 Pages	4-PinMicropowerVoltageMonitors	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MC837	文件：665.89 Kbytes Page：9 Pages	INTEGRATEDCIRCUITS INTEGRATEDCIRCUITSFROMMOTOROLA MDTLintegratedcircuitsprovideanexcellentbalanceofspeedpowerdissipation,andnoiseimmunityforgeneralpurposedigitalapplications.Thelineincludesmanymultifunctiontypes.AdditionallogicpowerisprovidedbythewiredORcapabilityofthebasicM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MRF837	文件：25.44 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFLOWPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF837isDesignedprimerilyforwidebandlargesignalpredriverstagesin800MHzandUHFfrequencyranges. FEATURESINCLUDE: •Mingain8.0dB@750mW/870MHz •SiliconNitridepassivated •LowcostPlasticPackage	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
MUR837	文件：59.5 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.	JINGHENG
MUR837	文件：56.6 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Singlerectifierconstruction •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolaritypro	JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.	JINGHENG
MV837	文件：33.07 Kbytes Page：1 Pages	ABRUPTVARACTORDIODES ABRUPTVARACTORDIODES	KNOXKnox Semiconductor, Inc Knox Semiconductor, Inc	KNOX
MZ837	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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详细参数

型号：
CH837UPNPT
制造商：
CHENMKO
制造商全称：
Chenmko Enterprise Co. Ltd.
功能描述：
PNP&NPN Muti-Chip General Purpose Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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