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CGH40035	文件：3.91088 Mbytes Page：14 Pages	35 W, DC - 4 GHz, RF Power GaN HEMT Description Wolfspeed'sCGH40035Fisanunmatched,galliumnitride (GaN)highelectronmobilitytransistor(HEMT).The CGH40035F,operatingfroma28voltrail,offersageneral purpose,broadbandsolutiontoavarietyofRFandmicrowave applications.GaNHEMTsofferhighefficiency,highga	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
CGH40035F	文件：1.3757 Mbytes Page：14 Pages	35 W, RF Power GaN HEMT	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
CGH40035F-AMP	文件：1.3757 Mbytes Page：14 Pages	35 W, RF Power GaN HEMT	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
CGH40035F-TB	文件：1.3757 Mbytes Page：14 Pages	35 W, RF Power GaN HEMT	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
CGH40035F	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：440193 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：RF MOSFET HEMT 28V 440193	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
CGH40035F-AMP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：CGH40035F DEV BOARD WITH HEMT	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
CPT40035	文件：149.69 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerMod ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●400Amperes/30to50Volts ●175°CJunctionTemperature ●ReverseEnergyTested ●ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
CPT40035	文件：163.59 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYPOWERMOD ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●400Amperes/30to50Volts ●175°CJunctionTemperature ●ReverseEnergyTested ●ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
CPT40035	文件：171.73 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerMod ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●400Amperes/30to50Volts ●175°CJunctionTemperature ●ReverseEnergyTested ●ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
CPT40035	文件：123.5 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerMod	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MBR40035CT	文件：132.73 Kbytes Page：3 Pages	400AmpRectifier20to100VoltsSchottkyBarrier Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MBR40035CT	文件：123.5 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerMod	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MBR40035CT	文件：133.24 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE400A SCHOTTKYDIODESMODULETYPE400A Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
MBR40035CT	文件：163.59 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYPOWERMOD ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●400Amperes/30to50Volts ●175°CJunctionTemperature ●ReverseEnergyTested ●ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MBR40035CT	文件：136.14 Kbytes Page：2 Pages	SiliconSchottkyDiode,400A Features •GuardRingProtection •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •Upto100VVRRM	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MBR40035CT	文件：698.12 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR40035CT	文件：325.14 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SCHOTTKYRECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •TypesUpto100VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MBR40035CTL	文件：428.11 Kbytes Page：3 Pages	HighSurgeCapability	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR40035CTR	文件：698.12 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR40035CTR	文件：428.11 Kbytes Page：3 Pages	HighSurgeCapability	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC

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详细参数

型号：
CGH40035
功能描述：
TRANS 35W RF GAN HEMT 440193 PKG
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> RF FET
系列：
GaN
产品目录绘图：
MOSFET SOT-23-3 Pkg
标准包装：
3,000
系列：
-
晶体管类型：
N 通道 JFET
频率：
-
增益：
- 电压 -
测试：
-
额定电流：
30mA
噪音数据：
- 电流 -
测试：
- 功率 -
输出：
- 电压 -
额定：
25V
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
带卷(TR)
产品目录页面：
1558(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CGH40035供应商更新时间2024-5-24 17:11:00

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