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CEZ07R10L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V,81A,RDS(ON)=7.7mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=10mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS
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CET(华瑞)
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更多CEZ07R10L供应商 更新时间2024-4-28 15:00:00