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CEU01N65	文件：400.59 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■650V,1.2A,RDS(ON)=10.5Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU01N65A	文件：398.58 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■650V,0.9A,RDS(ON)=15Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU01N65A	文件：472.38 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V,0.9A,RDS(ON)=15W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CED01N65	文件：400.59 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,1.2A,RDS(ON)=10.5Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED01N65A	文件：398.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,0.9A,RDS(ON)=15Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED01N65A	文件：472.38 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,0.9A,RDS(ON)=15W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEK01N65	文件：1.2255 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,0.35A,RDS(ON)=10.5Ω@VGS=10V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-92(Bulk)&TO-92(Ammopack)package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEK01N65	文件：679.14 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,0.35A,RDS(ON)=10.5W@VGS=10V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TO-92(Bulk)&TO-92(Ammopack)package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEK01N65A	文件：583.86 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,0.3A,RDS(ON)=15W@VGS=10V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TO-92(Bulk)&TO-92(Ammopack)package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEK01N65A	文件：375.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,0.3A,RDS(ON)=15Ω@VGS=10V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-92(Bulk)&TO-92(Ammopack)package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP01N65	文件：429.92 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP01N65650V10.5Ω1.3A10V CEF01N65650V10.5Ω1.3A10V CEB01N65650V10.5Ω1.3A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CJB01N65B	文件：345.5 Kbytes Page：2 Pages	TO-263-2LPlastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
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CJV01N65B	文件：710.67 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU

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详细参数

型号：
CEU01N65
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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