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RF2312	文件：311.78 Kbytes Page：16 Pages	LINEARGENERALPURPOSEAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2312	文件：856.25 Kbytes Page：13 Pages	LinearGeneralPurposeAmplifier	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
RF2312PCBA	文件：274.51 Kbytes Page：16 Pages	LINEARGENERALPURPOSEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2312isageneralpurpose,lowcosthighlinearityRFamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasaneasilycascadable75Ωgainblock.Thegainflatnessof	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2312PCBA	文件：306.26 Kbytes Page：16 Pages	LINEARGENERALPURPOSEAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2312PCK	文件：856.25 Kbytes Page：13 Pages	LinearGeneralPurposeAmplifier	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
RF2312SQ	文件：856.25 Kbytes Page：13 Pages	LinearGeneralPurposeAmplifier	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
RF2312SR	文件：856.25 Kbytes Page：13 Pages	LinearGeneralPurposeAmplifier	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
RM2312	文件：166.6 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
RN2312	文件：163.41 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuit ●Withbuilt-inbiasresistors. ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocessandminiaturizeequipment. ●Variousresistancevaluesareavailabletosuitvariouscircuitdesigns. ●Complement	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
RSZ-2312	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOMRecom International Power 瑞科电源瑞科电源有限公司	RECOM
RSZ-2312HP	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOMRecom International Power 瑞科电源瑞科电源有限公司	RECOM
S2312	文件：147.72 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23	SMCSintered Metal Company 烧结金属烧结金属公司	SMC
S2312	文件：263.48 Kbytes Page：4 Pages	TVSARRAYSERIES Protects3.3,5,12,15,24,36VComponents UnidirectionalorBidirectional LowLeakage ProvidesElectricallyIsolatedProtection 300W@8/20us Protects1or2Lines SOT-23Packaging “-A”isanAEC-Q101qualifieddevice ThisisaPb-FreeDevice AllSMCpartsaretraceabletothewafe	SMCDIODESMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
SE2312	文件：567.04 Kbytes Page：9 Pages	ThyristorSurgeSuppressors	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
SE2312	文件：386.26 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
SE2312A	文件：567.04 Kbytes Page：9 Pages	ThyristorSurgeSuppressors	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
SI2312	文件：744.92 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
SI2312	文件：1.88803 Mbytes Page：3 Pages	20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET VDS=20V RDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@5.0A	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
SI2312A	文件：1.79601 Mbytes Page：5 Pages	UMWSI2312A Features VDS(V)=20V ID=6A(VGS=4.5V) RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW

详细参数

型号：
CES2312
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	CES2312	CES	19+	SOT-23	12000		询价
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深圳市科恒伟业电子有限公司	CES2312	华瑞/CET	21+	SOT23-6	9800	只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CES2312	CET/華瑞	2019+PB	SOT-23	85000	原装正品可含税交易	询价
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深圳市一线半导体有限公司	CES2312	CET	2008++	SOT-23	9070	新进库存/原装	询价
深圳市力通伟业半导体有限公司	CES2312	CET	13+	SOT-23	78000	特价热销现货库存	询价
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更多CES2312供应商更新时间2024-6-1 16:04:00

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