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CEH2351	文件：601.93 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -150V,-1.45A,RDS(ON)=720mW@VGS=-10V. RDS(ON)=750mW@VGS=-6V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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更多CEH2351供应商更新时间2024-6-12 14:00:00

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