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CED9926	文件：59.68 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●20V,26A,RDS(ON)=30mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=40m@VΩGS=2.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
9926	文件：996.47 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926A	文件：124.3 Kbytes Page：4 Pages	6A竊?0VDualN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
9926A	文件：117.54 Kbytes Page：5 Pages	DualN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
9926B	文件：1.62045 Mbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926EM	文件：982.09 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926EM-A	文件：982.06 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926GEM	文件：982.02 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926GM	文件：982 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926M	文件：981.93 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926SS	文件：981.89 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ACE9926B	文件：735.63 Kbytes Page：7 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Description TheACE9926BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Theyofferoperationoverawidegatedriverangefrom2.5Vto12V.Thetwodevicesmaybeusedindividually,inparallelortoformabidirectionalblockingswitch. Features •VDS	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE9926BFM+H	文件：1.28744 Mbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ACE9926BFM-H	文件：1.28744 Mbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AF9926N	文件：414.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AF9926NS	文件：414.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AF9926NSA	文件：414.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AF9926NSL	文件：414.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AF9926NSLA	文件：414.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AF9926NSLA	文件：981.82 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
CED9926
功能描述：
20V N Channel MOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市芯为科技有限公司	CEDF630	CET	2023+	TO-251	16800	芯为只有原装,公司现货	询价

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