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CEB25A04	文件：448.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V,200A,RDS(ON)=2.3mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=2.5mW@VGS=9V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
AR25A04	文件：152.91 Kbytes Page：2 Pages	SiliconRectifier	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
CEP25A04	文件：448.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 40V,200A,RDS(ON)=2.3mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=2.5mW@VGS=9V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
FG25A04	文件：192.23 Kbytes Page：2 Pages	25.0Amps.GlassPassivatedPowerRectifiersHighreliability	FCI Amphenol ICC	FCI

更多CEB25A04供应商更新时间2024-6-15 8:02:00