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AOI425	文件：297.37 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=-55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=10mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ASL425	文件：1.35831 Mbytes Page：14 Pages	200~4000MHzMMICAmplifier	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
ASL425	文件：659.52 Kbytes Page：11 Pages	200-4000MHzMMICAmplifier	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
AVHF425	文件：715.26 Kbytes Page：16 Pages	IlluminatedPushbutton-22,25,28&30mm	CITCIT CIT	CIT
AVHT425	文件：715.26 Kbytes Page：16 Pages	IlluminatedPushbutton-22,25,28&30mm	CITCIT CIT	CIT
BE425M	文件：76.06 Kbytes Page：2 Pages	APCBack-UPS,6Outlets,425VA,120V	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
BFG425W	文件：664.91 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORRFNPNTRANSISTORMICROWAVELOWNOISE DESCRIPTION UHF25GHz,lownoisetransistorwithSiGeHBTtechnique,highpowergain,lownoiseandlargedynamicrange.TheadoptionofsubminiatureSOT-343package,especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFbroadbandhighfrequencylownoiseampli	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
BFG425W	文件：292.87 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •HighPowerGain •HighCurrentGainBandwidthProduct •LowNoiseFigure •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •DesignedforuseinRFwidebandamplifiersandoscillators.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFG425W	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFG425W	文件：663.79 Kbytes Page：4 Pages	Microwave,lownoise,SiGeNPNHBT Microwave,lownoise,SiGeNPNHBT UHF25GHZ,lownoisetransistorwithSiGeHBTtechnique,highpowergain,lownoiseandlargedynamicrange.TheadoptionofsubminiatureSOT-343Rpackage,especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFbroadbandhigh	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BFG425W	文件：1.95056 Mbytes Page：7 Pages	NPNTransistors ■Features ●Veryhighpowergain ●Lownoisefigure ●25GHzwidebandtransistor ●Emitteristhermallead ●Lowfeedbackcapacitance.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BFG425W	文件：111.81 Kbytes Page：12 Pages	NPN25GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNdoublepolysiliconwidebandtransistorwithburiedlayerforlowvoltageapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Rpackage. FEATURES •Veryhighpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Emitteristhermallead •Lowfeedbackcapacitance. APPLI	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGA425	文件：81.62 Kbytes Page：8 Pages	Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie(Multifunctionalcasc.50廓blockLNA/MIXUnconditionallystable) Si-MMIC-AmplifierinSIEGET®25-Technologie Preliminarydata •Multifunctionalcasc.50Ωblock(LNA/MIX) •Unconditionallystable •Gain\|S21\|2=18.5dBat1.8GHz(appl.1) gain\|S21\|2=22dBat1.8GHz(appl.2) IP3out=+7dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=9.5mA) •NoisefigureNF=2	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BR425	文件：45.4 Kbytes Page：1 Pages	PinTypeLithiumBatteries(BRSeries):IndividualSpecifications	PANASONICBATTERYPanasonic Battery Group 松下电器松下电器（中国）有限公司	PANASONICBATTERY
CDS-425-CW-D	文件：191.12 Kbytes Page：2 Pages	CDSeriesWhiteLEDLinearFixture	DialightDialight BLP DialightDialight BLP	Dialight
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详细参数

型号：
CDS-425-CWDIP
制造商：
DIALIGHT
制造商全称：
Dialight Corporation
功能描述：
CD Series White LED Linear Fixture

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