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75N03	文件：1.00153 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
75N03R	文件：1.75245 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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MTB75N03HDL	文件：304.84 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL75AMPERES25VOLTS HDTMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP75N03	文件：296.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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MTP75N03HDL	文件：235.54 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL75AMPERESRDS(on)=9.0mOHM25VOLTS HDTMOSE-FETHighDensityPowerFET N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.De	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
NTB75N03R	文件：73.4 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET75Amps,25VoltsN-ChannelD2PAK,TO-220	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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